Logo

MJC ELEKTROTECHNIK GMBH HANDEL MIT ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN

Am Gielbrunnen 17, Eisenberg 67304
Vokietija
Pristatymas
Pristatymas: Europa
Įkurta
Įkurta: 1997
Darbuotojai
Darbuotojai: 20-49
Tiekėjo tipas
Info
Platinimas
Kaip įvertintumėte įmonės ir produkto informaciją?

Pasiūlymų užklausa

Sukurkite vieną užklausą ir gaukite kelis komercinius pasiūlymus iš patikrintų tiekėjų.
  • Tik atitinkami tiekėjai
  • Atitinkantis duomenų privatumą
Gaukite kelis komercinius pasiūlymus
Lengva ir visiškai nemokama
Apie mus

20 produktai (-ų) ir paslaugos (-ų)

Search
FRED Diodas DSEI 2x101-06A
FRED Diodas DSEI 2x101-06A
FRED dviguba dioda, lygiagrečiai, SOT-227 korpuse, Ifav=2x96A@70°C, Vrrm=600V, trr=35ns, Gamintojas IXYS/Littelfuse Pristatymo laikas: sandėlyje Mini...
IGBT modulis GD400 SGU120C2S
IGBT modulis GD400 SGU120C2S
IGBT modulis, Vienas Jungiklis, NPT Ultrafast Technologija, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, 62mm Korpus, Gamintojas Starpower Pristatymo Laikas: Sandėlyje ...
IGBT modulis GD100 HFU120C1S
IGBT modulis GD100 HFU120C1S
IGBT modulis GD100HFY120C1S, fazės konfigūracija, NPT ultratrumpa technologija, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm korpusas, gamintojas Starpower Prista...
Thyristorų modulis MCC 56-16io1B
Thyristorų modulis MCC 56-16io1B
Dvigubas tiristoriaus modulis TO-240 korpuse, fazių konfigūracija, ITAV=60A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, gamintojas IXYS/Littelfuse, gali visiškai pakeisti ...
SiC-MOSFET IXFN 50N120SK
SiC-MOSFET IXFN 50N120SK
Silicio karbido MOSFET SOT-227 korpuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Gamintojas IXYS/Littelfuse Pristatymo laikas: sandėlyje Minimalus užsakymo kiekis: ...
SiC-MOSFET modulis MD300 HFR120B3S
SiC-MOSFET modulis MD300 HFR120B3S
SiC-MOSFET modulis, fazės kojos konfigūracija, Ic=300A@80°C, Vces=1200V, plokščias (mažos induktyvumo) 62mm korpusas, gamintojas Starpower Pristatymo...
SiC-MOSFET IXFN 70N120SK
SiC-MOSFET IXFN 70N120SK
Silicio karbido MOSFET SOT-227 korpuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Gamintojas IXYS/Littelfuse Pristatymo laikas: sandėlyje Minimalus užsakymo kiekis: ...
IGBT-Modul GD200 HFY120C2S
IGBT-Modul GD200 HFY120C2S
IGBT modulis, fazių konfigūracija, trench technologija, Ic=200A@100°C, Vces=1200V, 62mm korpusas, gamintojas Starpower Pristatymo laikas: iš sandėlio...
Aukštos Įtampos Lygintuvas UGE 0421 AY4
Aukštos Įtampos Lygintuvas UGE 0421 AY4
Aukštos įtampos tiesinimo įtaisas Idav=23A, Vrrm=3200V, Gamintojas IXYS/Littelfuse Pristatymo laikas: sandėlyje Minimalus užsakymo kiekis: 6 vnt.
IGBT modulis GD75 HFY120C1S
IGBT modulis GD75 HFY120C1S
IGBT modulis, fazės konfigūracija, griovio technologija, Ic=75A@100°C, Vces=1200V, 34mm korpusas, gamintojas Starpower Pristatymo laikas: Sandėlyje M...
Diodų modulis MDD 95-16N1B
Diodų modulis MDD 95-16N1B
Dvigubas diodų modulis TO-240 korpuse, fazių konfigūracija, ITAV=120A@100°C, Vrrm/Vdrm=1600V, gamintojas IXYS/Littelfuse, gali visiškai pakeisti modul...
IGBT modulis GD150 HFU120C2S
IGBT modulis GD150 HFU120C2S
IGBT modulis GD100HFY120C1S, fazės konfigūracija, NPT ultratrumpa technologija, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, 62mm korpusas, gamintojas Starpower...
IGBT modulis GD450 HFY120C2S
IGBT modulis GD450 HFY120C2S
IGBT modulis, fazės konfigūracija, griovio technologija, Ic=450A@100°C, Vces=1200V, 62mm korpusas, gamintojas Starpower Pristatymo laikas: Sandėlyje ...
FRED Diodas DSEI 2x101-12A
FRED Diodas DSEI 2x101-12A
FRED dviguba diodas, lygiagrečiai, SOT-227 korpuse, Ifav=2x91A@50°C, Vrrm=1200V, trr=40ns, Gamintojas IXYS/Littelfuse Pristatymo laikas: sandėlyje Mi...
Thyristorų modulis MCC 95-16io1B
Thyristorų modulis MCC 95-16io1B
Dvigubas tiristoriaus modulis TO-240 korpuse, fazių konfigūracija, ITAV=116A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, gamintojas IXYS/Littelfuse, gali visiškai pakeisti...

Raktažodžiai1 raktinis žodis

Vieta ir Kontaktai

MJC ELEKTROTECHNIK GMBH HANDEL MIT ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN
AddressAm Gielbrunnen 17, DE-67304 Eisenberg

europages programėlė yra čia!

Naudokite mūsų patobulintą tiekėjų paiešką arba kurdami užklausas naudokite naują „europages“ programėlę pirkėjams.

Atsisiųsti iš „App Store“

App StoreGoogle Play